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En el marco del evento FMS (Future of Memory and Storage) celebrado en Santa Clara, California (Estados Unidos), Samsung presentó sus modelos conceptuales de memoria en 3D de próxima generación zHBM y zNAND-O y la memoria V10 BV-NAND con más de 400 capas.
zHBM es capaz de apilarse de forma vertical directamente sobre los aceleradores de IA, sin seguir el diseño de instalarse al lado, lo que permite ampliar el ancho de banda y reducir el consumo energético. Ofrece hasta 8 veces el rendimiento de HBM5 y junto a la tecnología de unión de obleas logra más de 10 veces la densidad de memoria de HBM5. Asimismo, triplica la eficiencia energética y reduce en un 50% la resistencia térmica, mejorando la estabilidad en sistemas de alto rendimiento.
zNAND-O, en tanto, con versiones en desarrollo de 4 y 8 capas, es una memoria que aborda las exigencias de la IA de extremo a extremo en tiempo real y puede gestionar una gran cantidad de datos.
Por último, V10 BV-NAND, equipada con la nueva arquitectura Bonding V-NAND, integra más de 400 capas para optimizar el rendimiento energético y la densidad de almacenamiento a través de la tecnología de unión de obleas. Aumenta la densidad de memoria hasta un 58% respecto a la generación anterior y mejora la lectura y escritura de datos.
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