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Memorias DDR4
Nuevo estándar de memoria cada
vez más cerca

Se espera que el nuevo estándar de memoria DRAM, DDR4, se adopte de manera masiva en un par de años, por lo que algunos fabricantes ya están enviando muestras de sus primeras unidades. El nuevo estándar tendría un rango de funcionamiento bajo los 1,2 V, un 20% menos que las actuales DD3, entre otras ventajas. Antes de 2014 la memoria DDR4 ya se encontraría en los servidores y en 2015 en los computadores de escritorio.

Después de seis años, la memoria DDR3 está pronta a decir adiós. En un comienzo, el estándar no tuvo gran acogida, pero con el correr del tiempo fue aceptada y nuevas plataformas la integraron.

Samsung sería una de las firmas que lleva la delantera en DDR4. En diciembre de 2010 distribuyó muestras de sus primeros módulos de 2 GB DDR4 y en enero de 2011 ya había completado el desarrollo de sus primeras memorias de 4 GB. Hynix, otro fabricante coreano, lanzó sus primeros pasos en el DDR4 al mes siguiente.

Micron, en tanto, anunció en mayo pasado que acaba de iniciar un proceso de distribución a los fabricantes para la realización de pruebas con la memoria DDR4 en variantes como DDR4 RDIMMs, LRDIMMs, 3DS, SODIMMs y UDIMMs.

Otro hecho que impulsaría el mercado de las DDR4 es la publicación de la especificación JEDEC, lo cual se espera que se produzca a mediados de año. Con todos estos pronósticos, los analistas creen que la memoria DDR4 ya se encontrará en los servidores antes de 2014 y en los computadores de escritorio en 2015.


Más eficiente y veloz

Los principales atributos del nuevo estándar apuntan hacia su velocidad y un menor consumo de energía: Micron informó una transferencia de datos de 2400 millones/s y Samsung lanzaría memorias DDR4 con una trasferencia de 2113 millones/s. Por otra parte, se espera que su rango de funcionamiento no supere los 1,2 V, un 20% menos que las actuales DD3 -podría reducirse hasta 1,05 V en el caso de la DDR4L-.

Las memorias DDR4 son Double Data Rate, o sea, trasladan sus datos dos veces por la memoria del bus por cada ciclo y, a diferencia de las DDR3, no usa canales compartidos para unir la memoria con el procesador sino que cada módulo tiene su propia conexión con el controlador de memoria.

La topología "punto a punto" de las DDR4, en tanto, permitirá mayor flexibilidad en su configuración y menores complicaciones. Además, las nuevas memorias poseerán otro diseño, ya que se busca reducir al mínimo la latencia con más bancos de memoria en cada die, en total, 16.

Sin embargo, todas estas mejoras harían elevar el precio de las DDR4. Otra dificultad estaría dada porque si bien la comunicación directa entre cada módulo de memoria y el CPU permiten una lectura y escritura de datos más veloz por ciclo, es más complejo manipular grandes cantidades de memoria.

Lo anterior tendría solución con interruptores digitales que reduzcan el número de canales conectados al controlador de memoria del micro.

Se espera que Micron presente un producto compatible y para uso general en los primeros meses de 2013 y que Intel haga lo suyo en 2014, cuando lance la serie Xeon Haswell-EX con DDR4.

Junio 2012
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