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Samsung Electronics anunció el lanzamiento de su memoria V-NAND Flash de 1TB, que permitirá integrar hasta 2TB utilizando un único encapsulado.
Con esta nueva solución de memoria la compañía apunta al mercado profesional, donde ha confirmado que está empezando a probar muestras de sus próximos SSDs de pequeño tamaño tipo NGSFF con hasta 16TB de capacidad de almacenamiento.
Gracias a esos SSDs será posible aumentar la capacidad de almacenamiento actual de los servidores, como en la reciente demostración que llevó a cabo Samsung con 36 unidades SSD de tipo NGSFF integradas en un rack 1U, que ofrecían una capacidad de almacenamiento total de 576TB (más de medio petabyte).
Dicho sistema era capaz de procesar además unos 10 millones de IOPS (lectura), un dato de rendimiento impresionante aunque cabe señalar que también sería posible romper la barrera del petabyte utilizando dos de esos sistemas de 576TB.
Samsung tiene planeado empezar a producir en masa los primeros SSDs de tipo NGSFF durante el cuarto trimestre de este año.
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